Путем строгого численного моделированния установлены количественные особенности кинетики высоколокального разогрева полупроводников и диэлектриков с помощью ближнеполевых коаксиальных зондов. Показано, что скорость и локальность разогрева резко увеличивается при уменьшении сечения острия таких зондов до области значения в единицы микрон. Особенно сильно это проявляется при сферической форме острия. локальность удержания достигнутой температуры связана с теплопроводностью материала объекта и ухудшается по сравнению с сечением острия при увеличении длительности возбуждающего импульса. Для микронных сечени острия характерна длительность возбуждающего импульса не превышает десять долей микросекунды.