В статье представлен высокоэффективный (4?1)-мультиплексор с малой утечкой и уменьшенной задержкой, снабженный схемой удвоителя напряжения на МОП-структурах, которая совмещена с расширенной МОП-конфигурацией транзисторов ждущего режима наноразмерной структуры. Оригинальная конструкция схемы удвоителя напряжения реализована в виде дополнительной схемы на выходе предложенной конструкции для ступенчатого увеличения напряжения. Это позволило удвоить выходное пиковое напряжение за счет переходных процессов положительного и отрицательного циклов. Это повышенное напряжение может использоваться в качестве стабилизированного источника питания для определенных целей. Наличие схемы удвоителя напряжения не является достаточным для улучшения общей эффективности предложенной конструкции (4?1)-мультиплексора. Для получения одновременной оптимизации по мощности рассеяния (мощность утечки) и длительности задержки схема удвоителя напряжения используется совместно с расширенной МОП-конфигурацией транзисторов ждущего режима. Для минимизации параметра мощности рассеяния, вызванной утечкой, введена схема удвоителя напряжения на МОП-структурах, совмещенная с расширенной конфигурацией транзисторов ждущего режима. Это позволило уменьшить избыточную мощность рассеяния схемы, обусловленную утечкой. Указанная дополнительная часть схемы позволяет получить необходимый уровень выходного напряжения у предложенного (4?1)-мультиплексора при улучшенных параметрах. Моделирование устройства осуществлялось при использовании технологии 45 нм. В результате мощность рассеяния, обусловленная утечкой, уменьшена до уровня примерно 55%, а характеристика задержки улучшена до требуемого уровня благодаря использованию схемы удвоителя напряжения на МОП-структурах совместно с улучшенной МОП-конфигурацией транзисторов ждущего режима. В статье представлены различные комбинации схемы удвоителя напряжения на МОП-структурах, реализованные на выходе (4?1)-мультиплексора.