Предлагается низкоразмерная система поверхностных электронов ()ПЭ в различных локализации для создания инфракрасных пемников. Проанализированы динамические свойства ПЭ для различных видов подложек: ПЭ над поверхностью жидкого гелия и над другими крио-материалами; надпленками из сверхтекучего гелия покрывающего полупроводниковую пластину с большей диэлектрической постоянной.Рассмотрена спецефическая квантово-размерная система - диплон: поверхностные электроны над гелиевой пленкой локализованные напротив положительных ионов на диэлектрической пластине. Изменение толщены гелиевой пленки на твердой пластине и перемещение пластины вызывают существенные изменения в спектре. Устройство относится к фотонному типу и имеет небольшое время релаксации. Устройство работает при гелиевых температурах и может обеспечить низкий уровень тепловых шумов.