Математический анализ динамических потерь на IGBT транзисторах и методов их снижения / Н. Н. Чернышов, Ю. Е. Гордиенко, В. М. Писаренко и др. // Радиотехника. – 2015. – №Вып. 180. – С. 72–75
Складова документа:Шифр: 621.396(06) Р15
Радиотехника : всеукр. межведомств. науч.-техн. сб. Вып. 180 / МОН Украины, Харьк. нац. ун-т радиоэлектроники ; редкол. : Н. И. Слипченко (гл. ред.) и др. – Харьков : ХНУРЭ, 2015. – 181 с. : ил. – 40.00
Анотація:
Совершенствование технологических процессов приводит к улучшению характеристик современной электроники. Это связано с внедрением новых материалов и тонких пленок, применение которых позволяет повысить эффективность производственных процессов и создавать силовые ключи с принципиально новыми свойствами. Актуальность статьи состоит в анализе динамических потерь в импульсных преобразователях на IGBT транзисторах. Исследованы возможности применения нестандартного подхода к реализации устройства для восстановления гармонических сигналов посредством широтно-импульсной модуляции. Цель работы - исследование различных вариантов схем для комутации токов и напряжений.
Тема:
- УДК
- 621.382.3 Транзистори Ключові слова латиницею
- Insulated Gate Bipolar Transistor, IGBT Ключові слова
- транзистори, транзисторы, transistors
- радіотехнічні пристрої, РТП, радиотехнические устройства, РТУ
- телекомунікації, телекоммуникации, telecommunications
- тонкі плівки, тонкие пленки
- гармонічні сигнали, гармонические сигналы
- імульсні перетворювачі, импульсные преобразователи