Аналитическая модель гетероперехода (p)-a-Si:H/(n)-c-Si, основанная на диффузионном механизме переноса электронов и дырок, используется для расчета электрических характеристик при наличии солнечного освещения. Компьютерное моделирование выполнено для получения оптимальной структуры слоеа перехода. Расчетные соотношения позволяют учесть влияние конструктивных и технологических факторов на вольтамперную характеристику и
основные параметры фотопреобразователя.