Приведены результаты исследований влияния базовых технологических факторов: температуры осаждения пленки, давления газовой смеси и скорости ее прокачки через рабочий объем камеры на концентрацию водорода в осажденных аморфных пленках a-Si:Н. Исследованы зависимости темновой и фотопроводимости, коэффициента оптического поглощения и ширины запрещенной зоны указанных пленок от параметра Сн, а также их температурные характеристики. Для аналитического описания исследованных зависимостей предложены аппроксимационные модели.