Модель кристалла микросхем для исследования напряженных токовых и тепловых режимов / М. П. Грибский, Е. В. Григорьев, Н. И. Слипчекно и др. // Радиотехника. – 2008. – №Вып. 153. – С. 158–161.
Складова документа:Шифр: 621.396(06) Р15
Радиотехника : всеукр. межведомств. науч.- техн. сб. Вып. 153 / МОН Украины , Харьк. нац. ун-т радиоэлектроники ; [ редкол. : В. М. Шокало (гл. ред.) и др.]. – Харьков : ХНУРЭ, 2008. – 192 c. : ил. – 40.00
Анотація:
Приведена электротепловая модель кристалла современных микросхем, учитывающая многослойность металлизации, рассмотрены цепи разряда при воздействии на микросхемы импульсных электромагнитных полей, рассчитаны пороговые значения стойкости микросхем.
Тема:
- УДК
- 537.86 Електромагнітні коливання та хвилі. Радіофізика Ключові слова
- мікросхеми, микросхемы, Mikroschaltungen
- модель, model
- кристали, кристаллы, Krisrtalle, crystals
- ХНУРЕ- праці науковців, ХНУРЭ - труды научных сотрудников ХНУРЕ. Праці співробітників
- Сліпченко Микола Іванович, Слипченко Микола Иванович, Slipchenko M. I.