Дисертацію присвячено науковііі розробці електродинамічних моделей резонаторних сенсорів, що використовуються в НВЧ діагностиці напівпровідників, для їх оптимізації і дослідження метрологічних можливостей. Запропоновано і розроблено строгу чисельно-аналітичну електродинамічну модель апертурних резонаторних сенсорів аксіально-симетричного виду. Модель базується на представленні електромагнітних полів у часткових областях через функції Гріна рівнянь Максвела та на одномл' з варіантів метода напівобернення інтегрального оператора. Розвинена наближена модель НВЧ резонаторних сенсорів ємнісного типу з метою повного описання електромагнітного поля у шаруватих напівпровідникових зразках через приблизно задане поле у апертурі та функції Гріна для шаруватого напівнескінченного простору. Удосконалено одномодове наближення моделей резонаторних сенсорів хвилеводного типу з метою виключення похибок числової реалізації в областях особливостей характеристичного рівняння. Досліджено особливості строгого моделювання найбільш поширених резонаторних сенсорів апертурного типу та проведено порівняння результатів досліджень за допомогою строгих та наближених моделей. Установлено області використання останніх для описування резонаторних сенсорів ємнісного типу.