Вид документа:

Автореферат дисертації

УДК:

621.317.799+621.315.5
О-52
Оксанич А. П. Методи та апаратура контролю структурно-геомертичної досконалості напівпровідникових матеріалів та структур в умовах їх серійного виробництва : автореф. дис. ... д-ра техн. наук : 05.27.06 "Технологія, обладнання та виробництво електронної техніки" / Оксанич Анатолій Петрович ; Кременчуц. ін-т економіки та нових технологій. – Харків, 2002. – 34 с.


Статистика використання: Видач: 0

Анотація:
Дисертація присвячена розробці науково-обгрунтованих методів для контролю деформацій, механічних напруг структурної досконалості і створення на їх основі принципів конструювання вимірювального і ростового обладнання, яке дозволяє безруйнівним методом експресно контролювати на усіх стадіях напівпровідникового виробництва геометричні параметри і внутрішню напругу напівпровідникових пластин і структур, а також створенню апаратури для контролю структурної досконалості напівпровідникових кристалів в процесі вирощування.
Розроблені методики і конструкції плоских інфрачервоних полярископів "Мираж-1" та "Мираж-2" , за допомогою яких досліджено технологічні процеси високотемпературної обробки. Проведено теоретичний аналіз і експериментально підтверджений взаємозв"язок полів внутрішніх напруг з щільністю дислокацій Nv. Розроблена методика контролю щільності дислокацій, в процесі дослідження жорсткості кремнієвих структур (КС) виявлено нове явище: зміна форми (згибу) КС після прикладення імпульса нагруження з високою швидкістю. Розроблена і включена до виробництва на ЗАТ "Чисті метали" автоматизована інформаційно-аналітична система для вирощування злитків кремнія великого діаметру АСУ "Кремінь", що дозволило значно знизити брак вирощуваних злитків кремнію по діаметру і поліпшити структурну досконалість монокристалів.