Дисертація присвячена актуальній темі - дослідженню фотоелектричних та оптичних властивостей поверхнево-бар"єрних структур типу діодів Шоткі на основі напівпровідників А3В5 (GaAs, InP) з мікрорельєфною межею поділу, у видимій та ближній ІЧ області спектра, в тім числі, в режимі збудження поверхневих плазмових поляритонів, дослідженню впливу підсилення електростатичного та електродинамічного поля, ефекту електропоглинання світла (Франца-Келдиша) на електрофізичні та фотоелектричні характеристики, з"ясуванню впливу мікропрофілювання та пасиваційних обробок на рекомбінаційні характеристики меж поділу метал-напівпровідник, а також процесів деградації. Створено високочутливий сенсор компонент рідинних середовищ на основі резонансного явища - збудження поверхневих плазмових поляритонів на структурах метал-напівпровідник з мікрорельєфом типу дифракційної гратки.