До захисту подається 12 наукових робіт, в яких наводяться результати комплексних досліджень фотодетекторів ІЧ випромінювання, побудованих на основі діодних структур, створених на напівпровідникових твердих розчинах Hg1-xMnxTe, Hg1-x-yCdxZnyTe та Hg1-x-yCdxMnyTe, для чого в даній роботі проведені теоретичні та експериментальні дослідження основних зонних параметрів цих напівпровідників та на основі рішення рівняння Пуассона для випадку вузькощілинного напівпровідника створена модель діодів з p-n переходом та діодів Шотткі, яка пояснює особливості електрофізичних і оптичних характеристик даних структур.