Работа посвящена разработке научных основ технологии послеростовой модификации электрофизических и фотоэлектрических свойств кристаллов ZnSe И Cd [1-x ] Zn [ x ]Te для электронной техники. Разработаны методы измерения приповерхностного электростатического потенциала, удельного электросопротивления без изготовления электрических контактов, а также метод, обеспечивающий расширение пределов и повышение точности измерений диэлектрических постоянных кристаллов с помощью куметра.