Показано, що досягнення оптимальних оптоелектричних властивостей для плівок ZnO:In та ZnO:Al, отриманих реактивним магнетронним розпиленням на постійному струмі, відбувається завдяки різним фізичним механізмам, що пов"язано з різними атомарними радіусами алюмінію та індію. Встановлено, що при високочастотному нереактивному магнетранному розпиленні при збільшенні робомого тиску спостерігається нетрадиційна зміна фізичних закономірностей впливу товщини плівок ZnO:Al на значення концентрації основних носіїв заряду. Уточнені та обгрунтовані фізичні механізми впливу на оптоелектричні властивості плівок ZnO:Al концентрації легуючої фази у складі мішені при нереактивному магнетронному розпиленні і потужності магнетрона при високочастотному розпиленні.