В работе приведены результаты численных расчетов зарождения и динамики развития лавинного пробоя в ПТШ на арсениде галлия в зависимости от электрических режимов и размеров активной области. Исследовались физические электротепловые процессы в ПТШ вплоть до его теплового пробоя. Исследования тепловых процессов при воздействии мощных импульсов, длительность которых меньше времени распространения тепла по структуре, на входные системы, включающие элементы на основе ПТШ, позволяют сделать вывод, что характер отказа определяется не интегральной мощностью, распределяемой в пространстве, а локальным разогревом структуры. Наличие неоднородности в канале приводит к ухудшению эксплуатационных характеристик транзистора, но увеличивает при этом время выхода транзистора из строя.