Модель ПТШ субмикронных размеров на кремнии. Часть 2. Результаты моделирования / С.А. Зуев, В.В. Старостенко, В.Ю. Терещенко и др. // Радиоэлектроника и информатика. – 2004. – №4. – С.31–33.
Анотація:
Описываются результаты расчета входных и выходных статистических характеристик полупроводниковых приборов на основе Si
Тема:
- УДК
- 621.382.323 Польові транзистори (керовані зовнішніми полями) Ключові слова
- напівпровідникові прилади, полупроводниковые приборы, semiconductor devices
- чисельне моделювання, численное моделирование
- кремнієві планарні транзистори, кремниевые планарные транзисторы
- ХНУРЕ- праці науковців, ХНУРЭ - труды научных сотрудников ХНУРЕ. Праці співробітників
- Чурюмов Геннадій Іванович, Чурюмов Геннадий Иванович, Churyumov Gennadiy I.