Алексеев Ю.И. Усилитель на диоде Ганна с вісоким уровнем насіщения / Ю.И. Алексеев // Известия высших учебных заведений. Электроника. – 2004. – №2. – С.93–94
Складова документа:
Известия высших учебных заведений. Электроника : научно-технический журнал. №2 / М-во образ. РФ. МИЭТ // Известия высших учебных заведений. Электроника. – М., 2004
Анотація:
Представленный двухдиодный ганновский усилитель классифицируется как усилитель мощности промежуточного звена и может успешно применяться в одном из каскадов тракта формирования сигнала передатчика СВЧ