Локализация света в дефекте полупроводникового фотонного кристалла / П.С. Иванов, Х. Унольд, А.В. Шулика и др. // Радиоэлектроника и информатика. – 2002. – №3. – С.42–45.
Анотація:
Описываются результаты исследования двумерного фотонного кристалла (ФК), изготовленного в полупроводнике, и волоноводной структуры, созданной дефектной областью в данном ФК. Впервые рассчитываются и анализируются зависимость эффективного показателя преломления ФК от геометрических параметров ФК и длины волны распространяющегося излучения