Rittersma Z. M. et al. Characterization of Mixed-Signal Properties of MOSFETs With High-k (SiON/HfSiON/TaN) Gate Stacks [Електронний ресурс] / Z. M. et al. Rittersma // IEEE Transactions on Electron Devices [Електронний ресурс]. – 2006. – № 5. – Pp. 1216–1225
- Електронна версія (pdf / 611 Kb)
Статистика використання: Завантажень: 1
Анотація:
The correlation between the stoichiometry of Hf-SiON gate dielectrics and mixed-signal properties of low-power MOSFETs is investigated. MOSFETs with gate length L down
to 100 nm were fabricated in a conventional fabrication flow with a thermal budget of 1000C.
to 100 nm were fabricated in a conventional fabrication flow with a thermal budget of 1000C.
Тема:
- Ключові слова латиницею
- CMOS
- Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor, MOSFET
- Complementary Metal-Oxide Semiconductor, CMOS Ключові слова
- комплементарна логіка на транзисторах метал-окид-напівпровідник, КМОН, комплементарная логика на транзисторах металл-оксид-полупроводник,КМОП, CMOS-technology