Модель ПТШ субмикронных размеров на кремнии. Часть1. Математическая модель / С.А. Зуев, В.В. Старостенко, В.Ю. Терещенко и др. // Радиоэлектроника и информатика. – 2004. – №3. – С.47–53.
Анотація:
Предлагается модель кремниевого полевого транзистора с затвором Шоттки субмикронных размеров с учетом процессов переноса и локализации тепла в приборе
Тема:
- УДК
- 621.382.323 Польові транзистори (керовані зовнішніми полями) Ключові слова
- транзистори з бар'єром Шотткі, транзисторы с барьером Шоттки
- математичні моделі, математические модели, mathematical models
- польові транзистори, ПТ, полевые транзисторы, field transistors ХНУРЕ. Праці співробітників
- Чурюмов Геннадій Іванович, Чурюмов Геннадий Иванович, Churyumov Gennadiy I.