Бобрешов А.М. Аналитическая модель для субмикронных HEMT- транзисторов с учетом короткоканальных эффектов / А.М. Бобрешов, И.В. Хребтов // Известия высших учебных заведений. Электроника. – 2005. – №3. – С.14–21
Складова документа:
Известия высших учебных заведений. Электроника : научно-технический журнал. №3 / М-во образ. РФ. МИЭТ // Известия высших учебных заведений. Электроника. – М., 2005
Анотація:
Предложена модель для субмикронных транзисторов с высокой подвижностью электронов, в котором наряду с эффектом насыщения дрейфовой скорости электронов проведен учет доминирующих эффектов короткого канала. На основе полученной модели рассчитаны характеристики S - параметров и проведено их сравнение