Cмирнов В.В. Влияние разориентации R-плоскости сапфира на процесс гетероэпитаксиального осаждения нитридов алюминия и галлия / В.В. Cмирнов // Известия высших учебных заведений. Электроника. – 2005. – №1. – С.5–12
Складова документа:
Известия высших учебных заведений. Электроника : научно-технический журнал. №1 / М-во образ. РФ. МИЭТ // Известия высших учебных заведений. Электроника. – М., 2005
Анотація:
Исследовано влияние разориентации подложки сапфира в направлении 2110 или 2110 при нулевой разориентации в направлении 0111 Аl203 на структурные свойства эпитаксиальных слоев Gan u AIN