Розглянуто високочастотні ефекти, що виникають при поширенні поверхневих поляритонів у поодиноких та подвійних двовимірних електронних системах, які сформовані на основі гетеропереходів GaAs/ALxGA1-xAs і знаходяться в умовах цілочисельного квантового ефекту Холла та в напівмагнітних напівпровідниках, які перебувають у стані антиферомагнітного упорядкування. Теоретично передбачено існування поверхневих мод Брюстера та об'ємних поляритонів різних порядків у гетероструктурах GaAS/AlxGA1-xAs при наявності дисипації в двовимірних електронних системах. Запропоновано новий безконтактний спосіб визначення параметрів магнітної підсистеми напівмагнітних напівпровідників, який базується на збудженні в них лінійних поверхневих поляритонів за допомогою ефекту порушеного повного внутрішнього відбиття. Теоретично передбачено існування нелінійних поверхневих поляритонів у напівмагнітних напівпровідниках, діелектрична проникність яких залежить від інтенсивності електричного поля.