Рассматривается новый метод модуляционного отражения света — метод фотоотражения с длинноволновой накачкой. В отличие от традиционного метода фотоотражения, в предлагаемом методе в качестве оптической накачки используется излучение с энергией квантов, меньшей ширины запрещeнной зоны любого из слоeв исследуемой полупроводниковой структуры. Применение такой накачки позволяет получить спектр модуляционного отражения от всех слоeв структуры без возникновения фотолюминесценции. Этот метод особенно перспективен для исследования современных структур на основе широкозонных полупроводников. Представлены результаты исследования полупроводниковых структур, используемых для изготовления современных мощных многомодовых полупроводниковых лазеров.