Гайдуков Г.Н. Особенности начальной стадии роста пленки Ge на поверхности Si(001) / Г.Н. Гайдуков, Е.А. Кожевников, О.Ю. Ланцова // Известия высших учебных заведений. Электроника. – 2003. – №5. – С.96–97
Складова документа:
Известия высших учебных заведений. Электроника : научно-технический журнал. №5 / М-во образ. РФ. МИЭТ // Известия высших учебных заведений. Электроника. – М., 2003
Анотація:
Экспериментальные данныепо упорядоченному расположению структур пониженной размерности ( так называемых квантовых точек и нитей) на подложках позволяют говорить о комплексном взаимодействии в системе подложка-поверхностная структура. Одна из существенных составляющих такого взаимодействия- упругое анизотропное взаимодействие между частицами