Оболенский С.В. Моделирование структуры кластера радиационных дефектов в полупроводниках при нейтронном облучении / С.В. Оболенский // Известия высших учебных заведений. Электроника. – 2003. – №4. – С.49–55
Складова документа:
Известия высших учебных заведений. Электроника : научно-технический журнал. №4 / М-во образ. РФ. МИЭТ // Известия высших учебных заведений. Электроника. – М., 2003
Анотація:
С помощью моделирования методом Монте-Карло рассчитана детальная структура кластера радиационных дефектов, возникающего при облучении Si и GaAs быстрыми нейтронами. Показано, что возникающие при действии больших электрических полей в субмикронных полупроводниковых приборах "горячие" электроны могут проникать между отдельными субкластерами в кластере радиационных дефектов