Беспалов В.А. Исследование зависимости проводимости фоточувствительных слоев арсенида галлия от концентрации примеси марганца / В.А. Беспалов // Известия высших учебных заведений. Электроника. – 2003. – №4. – C.27–33
Складова документа:
Известия высших учебных заведений. Электроника : научно-технический журнал. №4 / М-во образ. РФ. МИЭТ // Известия высших учебных заведений. Электроника. – М., 2003
Анотація:
Появление верхнего предела для величины концентрации основной примеси Mn в фоточувствительных слоях GaAs(Mn) и AlGaAs(Mn) cвязано с возникновением прыжковой проводимости. Впервые получены зависимости параметров прыжковой проводимости от концентрации Mn в фоточувствительных слоях GaAs(Mn) и AlGaAs(Mn)