Розроблено архітектуру аналітичних мікросистем-на-кристалі (АМнК), що
являє собою спеціалізований кристал інтегральних схем (ІС), побудований
за принципом матричних ІС і містить спеціальну «технологічну площадку» з елементами зв'язку та матрицю бібліотечних елементів для реалізації схем аналогових та цифрових опрацювань первинної інформації від сенсорних елементів, а також базові матричні комірки для побудови вхідних/вихідних каскадів АМнК. Визначені дво-, трьохрівневі та комбіновані локальні ЗВ КМОН "кремній-на-ізоляторі" (КНІ)-структури. Промодельовані технологічні послідовності
і режими формування дворівневих тривимірних КНІ-структур, конструктивно суміщених з мікропорожнинами під поверхнею кремнієвої пластини, які можуть бути використані для створення тривимірних КНІ транзисторних чутливих елементів з можливістю подання зміщення до підканальної області для усунення «кінк-ефекту». Наведено результати приладно-технологічного, електрофізичного та схемотопологічного моделювання базових приладних елементів аналітичних мікросистем, досліджено вихідні каскади, виконані за традиційною КНІ технологією та буферних драйверів з використанням подвійного управління підканальною областю в КНІ-транзисторах, що містять як КМОН, так і біполярні
транзистори.