Розроблено двостадійну технологію формування поглинаючих шарів, спрямовану на створення дешевих тонкоплівкових фотоелекторичних перетворювачів (ФЕП)
з широко розповсюджених матеріалів без використання токсичних речовин та створено прототип тонкоплівкого ФЕП на їхній основі. Встановлено, що при температурі відпалу 390 °C формуються плівки зі структурою типу кестериту,
а проведення відпалу в атмосфері азоту призводить до зменшення оптичного відбивання світла на 25%. Оптимізовано технологічні режими осадження алмазоподібних вуглецевих плівок (АПВ)-плівок та плазмових обробок поверхні ФЕП. Показана можливість збільшення к.к.д. кремнієвих ФЕП з вертикальними p-n переходами в більш ніж на порядок завдяки комбінації реактивного іонного травлення поверхні ФЕП та наступної обробки в плазмі водню. Використано плазмову обробку поверхні та нанесення двошарового АПВ-покриття для просвітлення фотоприймача інфрачервонрго спектру (ІЧ)-спектру, що дало можливість збільшити його чутливість на 50% в спектральному діапазоні 2,5-5,5 мкм. Розроблено слідкуючу систему за сонцем та гібридне джерело живлення
для неї, що в тандемі дають змогу збільшити енерговіддачу ФЕП на 25-35%.