Показано можливість застосування імпульсного лазерного опромінення монокристалів Cd(Zn)Te з густиною енергії біля порогу плавлення для підвищення однорідності поверхневого шару кристалів, модифікації його властивостей і зміни шару поверхні. Розроблено технічні методи і технологічні прийоми підготовки поверхні кристалів CdTe, нанесення на неї плівки In, лазерно-індукованого легування поверхневого шару зразків і отримання бар'єрної структури з p-n переходом для детекторів ядерного випромінювання. Розроблено методику легування халькогенідних напівпровідників А_4 В_6, яка дозволяє підвищити термоелектричну ефективність гілок термопарного елементу, виготовленого
на їх основі. Уперше розроблено технологію отримання високооднорідних халькогенідних напівпровідникових матеріалів А_4 В_6 для термоелектричних перетворювачів енергії (термогенератори, термобатареї, термохолодильники).