Шифр: 539 У51
Ульянова В. О. Сенсори на акустичних хвилях на основі наноструктурованого оксиду цинку : автореф. дис. ... канд. техн. наук : 05.27.01 "Твердотільна електроніка" / Ульянова Вероніка Олександрівна ; М-во освіти і науки України, Нац. техн. ун-т України "Київ. політехн. ін-т". – Київ, 2016. – 20 с.
Ульянова В. О. Сенсори на акустичних хвилях на основі наноструктурованого оксиду цинку : автореф. дис. ... канд. техн. наук : 05.27.01 "Твердотільна електроніка" / Ульянова Вероніка Олександрівна ; М-во освіти і науки України, Нац. техн. ун-т України "Київ. політехн. ін-т". – Київ, 2016. – 20 с.
Статистика використання: Видач: 0
Анотація:
Проведено аналіз чутливості сенсорів на об'ємних акустичних хвилях (ОАХ) та
поверхневих акустичних хвилях (ПАХ) з наноструктурованим шаром різноманітної морфології та підтверджено значне покращення чутливості сенсорів до масового навантаження як результат використання наноструктурованого шару за рахунок збільшення площі поверхні чутливого елемента. Встановлено закономірності між параметрами синтезу та структурними властивостями ZnO у формі нанострижнів на підкладках різних типів, що дозволило удосконалити технологію синтезу, досягнути стабільності та повторюваності результатів низькотемпературного синтезу наноструктурованого ZnO у поєднанні з класичними мікроелектронними технологіями для виготовлення пристроїв електроніки. За допомогою методу вимірювання за зсувом частоти резонатора досягнуто більший у порівнянні з існуючими аналогами зсув частоти (138±1,9 кГц) при меншій інтенсивності випромінювання з довжиною хвилі 365±3 нм. Запропоновано метод зменшення
до 45 с часу відновлення сенсора на основі наноструктурованого ZnO та ZnO:Al шляхом обробки плазмою газового розряду поверхні сенсора.
поверхневих акустичних хвилях (ПАХ) з наноструктурованим шаром різноманітної морфології та підтверджено значне покращення чутливості сенсорів до масового навантаження як результат використання наноструктурованого шару за рахунок збільшення площі поверхні чутливого елемента. Встановлено закономірності між параметрами синтезу та структурними властивостями ZnO у формі нанострижнів на підкладках різних типів, що дозволило удосконалити технологію синтезу, досягнути стабільності та повторюваності результатів низькотемпературного синтезу наноструктурованого ZnO у поєднанні з класичними мікроелектронними технологіями для виготовлення пристроїв електроніки. За допомогою методу вимірювання за зсувом частоти резонатора досягнуто більший у порівнянні з існуючими аналогами зсув частоти (138±1,9 кГц) при меншій інтенсивності випромінювання з довжиною хвилі 365±3 нм. Запропоновано метод зменшення
до 45 с часу відновлення сенсора на основі наноструктурованого ZnO та ZnO:Al шляхом обробки плазмою газового розряду поверхні сенсора.
Тема:
- УДК
- 681.586 Перетворювачі. Датчики
- 532.785 Кристалізація з розчинів
- 539.232 Хімічним шляхом. Окислення Ключові слова
- наноструктури, наноструктуры, nanostructures
- схеми сенсорів, схемы сенсоров
- ультрафіолетове випромінювання, УФ, ультрафиолетовое излучение, ultraviolet rays
- оксид цинку, оксид цинка
- технологія низькотемперетурного синтезу, технология низкотемпературного синтеза