Встановлено технологічні умови появи впорядкованих та невпорядкованих нанорозмірних острівців, зареєстровано утворення наноструктур поза зоною опромінення за рахунок ефекту дальнодії. Представлено результати дослідження впливу різних доз (10-500 кГр) Y-опромінення на кристалічну структуру телуриду кадмію легованого Ge. Застосовуючи методи низькотемпературної фотолюмінесценції (ФЛ) та резонансного комбінаційного розсіяння світла (КРС) встановлено, що основні радіаційно-індуковані ефекти перебудови дефектної структури кристалів CdTe:Ge відбуваються при дозах в околі 200 кГр, що свідчить про відносно високу радіаційну стійкість досліджуваного детекторного матеріалу. Представлено результати впливу ізобаричної та термічної обробки на структурні та електрофізичні властивості структур Au-CdZnTe-Au з метою створення надійних пристроїв для реєстрації рентгенівського і Y-випромінювання. Дисертаційна робота також включає технологічну методику пост-експлуатаційної ізотермічної обробки детекторів іонізуючого випромінювання на основі твердих розчинів CdZnTe, що дозволяє відновлювати кристалічну структуру деградованих під
дією радіації функціональних елементів.