Досліджено вплив дефектів радіаційного походження на електрофізичні
процеси в кристалах і світлодіодах на основі GaP та трикомпонентних сполук AlGaAs. Виявлено, що у вихідних спектрах фотолюмінесценції кристалів фосфіду галію, вирощених на основі розчину-розплаву, існують лінії екситонів, зв'язаних на атомах азоту, а також лінії, зумовлені донорно-акцепторними переходами. Опромінення y-квантами Co60 світлодіодів GaP приводять до поступового гасіння свічення. Опромінення нейтронами світлодіодів GaP уводить глибокі рівні радіаційного походження, відпал котрих починається за температури 50-70*C. Червоні світлодіоди (GaP:Zn,O), на відміну від зелених (GaP:N), мають стадію
низькотемпературного відпалу (до 150*C). Опромінення електронами кристалів
GaP зумовляє зміну морфології поверхні зразків-згладжування рельєфу
з виникненням окремих виступів конічної форми-нано-горбів. У зворотно
зміщенім діоді з ростом струму, що проиікає через нього, зростає кількість
мікроплазм. Інтенсивність їхнього свічення зростає і при підвищенні температури.