За результатами математичного моделювання уточнено дані про значення
механічних властивостей підкладок GaAs у довільних кристалографічних
напрямках, визначено вплив величини залишкових напружень на константи
пружності С11, С12, C44. Визначені умови, за яких забезпечується механічна
стійкість підкладки GaAs при впливі на неї залишкових напруг. У роботі розроблено низку методик, пристроїв та удосконалено методи, зокрема:
методику, пристрій «Полярон - 4» та удосконалено метод неруйнівного
контролю залишкових напружень у підкладках GaAs; методику, пристрій «ТВ-Діслок 1» та удосконалено метод неруйнівного контролю густини дислокацій у підкладках GaAs; методику, пристрій «АКІДП - 1» та удосконалено метод неруйнівного контролю відхилення від площинності підкладок GaAs.
Розроблено пристрій контролю діаметра зливка в процесі його росту.
Запропонована технологія виготовлення підкладок GaAs, яка забезпечила
підвищення якості підкладок GaAs, зокрема, зменшення рівня залишкових
напружень на 10%, зменшення щільності дислокацій на 12%, зменшення
відхилення від площинності підкладок не менш ніж на 20 % у порівнянні з
існуючою технологією, що дозволяє збільшити відсоток виходу придатних
приладів на 5-7 %.