Усовершенствован ряд математических моделей, которые описывают влияние кристаллографии GaAs на качественные параметры подложек, в частности остаточные напряжения, плотность дислокации, отклонение от плоскостности. Внедрены следующие методы: разработано устройство "Полярон-4", позволяющее измерять остаточные напряжения в подложках GaAs и отображать результаты в виде распределения остаточных напряжений в 2D и 3D виде; предложено устройство "ТВ-Дислок 1", в котором относительная погрешность метода составила 33%; выявлено устройство контроля отклонения от плоскостности подложек "АКИДП-1", величина абсолютной погрешности которого составила 0,8 мкм. Обоснованы параметры отжига, которые позволи снизить уровень остаточных напряжений до такого, что не превышает 40 МПа. Разработано устройство контроля диаметра слитка в процессе его роста. Итог работы - разработанная технология производства подложек GaAs, которая обеспечивает увеличение их качества, в частности: уменьшение уровня остаточных напряжений на 10%, уменьшение плотности дислокаций на 12%, уменьшение отклонения от плоскостности подложек не менее чем на 20%, что позволяет увеличить процент выхода годных приборов на 5-7%