Шифр: 621.315 А66
Андросюк М. С. Вдосконалення технології вирощування злитків напівізолюючого арсеніду галію великого діаметру : автореф. дис. ... канд. техн. наук : 05.27.06 "Технологія, обладнання та виробництво електронної техніки" / Андросюк Максим Степанович ; М-во освіти і науки України, Кременчуц. нац. ун-т ім. М. Остроградського. – Кременчук, 2015. – 24 с.
Андросюк М. С. Вдосконалення технології вирощування злитків напівізолюючого арсеніду галію великого діаметру : автореф. дис. ... канд. техн. наук : 05.27.06 "Технологія, обладнання та виробництво електронної техніки" / Андросюк Максим Степанович ; М-во освіти і науки України, Кременчуц. нац. ун-т ім. М. Остроградського. – Кременчук, 2015. – 24 с.
Статистика використання: Видач: 0
Анотація:
Удосконалена технологія вирощування злитків напівізолюючого GaAs великого діаметру. Винайдені методи розрахунків полів термопружних напружень для вирощування кристалів в напрямку (100), за даним методом розроблено конструкцію теплового вузла, що дозволяє вирощувати монокристали напівізолюючого GaAs, легованого Cr. Розроблено методи визначення оптичної однорідності напівізолюючого GaAs з різними електричними властивостями.
За запропонованою методикою проведені дослідження оптичних характеристик пластин GaAs з орієнтацією (100) і діаметром 100 мм, які показали наявність
у площині пластини оптичних аномалій у вигляді локальних острівців. Експериментально досліджена дислокаційна структура монокристалів GaAs (діаметром до 100 мм), вирощених методом Чохральського, і встановлено, що високотемпературний відпал призводить до зниження густини дислокацій в 1,2 -1,3 рази.
За запропонованою методикою проведені дослідження оптичних характеристик пластин GaAs з орієнтацією (100) і діаметром 100 мм, які показали наявність
у площині пластини оптичних аномалій у вигляді локальних острівців. Експериментально досліджена дислокаційна структура монокристалів GaAs (діаметром до 100 мм), вирощених методом Чохральського, і встановлено, що високотемпературний відпал призводить до зниження густини дислокацій в 1,2 -1,3 рази.