Шифр: 621.315 С84
Стрєбєжєв В. В. Оптичні і фотоелектричні елементи інфрачервоного діапазону на основі монокристалів і шарів In4Se3, In4Te3 та CdSb : автореф. дис. ... канд. техн. наук : 05.27.01 "Твердотільна електроніка" / Стрєбєжєв Володимир Вікторович ; Чернівец. нац. ун-т ім. Ю. Федьковича. – Чернівці, 2015. – 23 с.
Стрєбєжєв В. В. Оптичні і фотоелектричні елементи інфрачервоного діапазону на основі монокристалів і шарів In4Se3, In4Te3 та CdSb : автореф. дис. ... канд. техн. наук : 05.27.01 "Твердотільна електроніка" / Стрєбєжєв Володимир Вікторович ; Чернівец. нац. ун-т ім. Ю. Федьковича. – Чернівці, 2015. – 23 с.
Статистика використання: Видач: 0
Анотація:
Розроблено методику нарощування шарів In4Se3, IN4Te3 та СdSb методом електрорідинної епітаксії. Проведена модифікація структурно-фазового стану епітаксійних шарів імпульсним випромінюванням мілісекундного лазера. Досліджена структура і хімічний склад епітаксійних шарів і плівок методами атомно-силової та растрової електронної мікроскопії. Досліджені спектральні характеристики і основні параметри фоточутливості гетеропереходів.
Розраховані і отримані відрізаючі інтерференційні фільтри на підкладках з кристалів Іn4(Se3)_ 1-xTe3x, CdSb, In4Se3 з різним положенням границі відрізання випромінювання в близькій та середній ІЧ- області.
Розраховані і отримані відрізаючі інтерференційні фільтри на підкладках з кристалів Іn4(Se3)_ 1-xTe3x, CdSb, In4Se3 з різним положенням границі відрізання випромінювання в близькій та середній ІЧ- області.