У дисертаційній роботі проведено теоретичне дослідження оптичного відгуку
InGaN/GaN напівпровідникової гетероструктури з квантовою ямою. Досліджено
спільний вплив п'єзоелектричного ефекту, екранування електронно-діркової
плазми та поверхневої сегрегації індію на потенціальний рельєф, дипольний
матричний елемент міжзонних оптичних переходів, зонну структуру енергетичних
станів та спектральні характеристики поглинання та підсилення з урахуванням
колективних ефектів. У результаті дослідження було встановлено, що поверхнева сегрегація індію призводить до зміщення енергетичних зон електронів та дірок,
що в свою чергу, призводить до зміщення червоної границі поглинання в область високих частот. Величина зміщення зростає зі збільшенням молярної частки індію в квантовій ямі. Колективні ефекти призводять до зміщення спектральних характеристик підсилення в область низьких частот внаслідок ефектів обміну. П'єзоелектрична поляризація обумовлює затухання екситонних резонансів та зменшення коефіцієнтів поглинання та підсилення.