У дисертаційній роботі проведено теоретичний опис й дослідження процесів
переносу носіїв заряду в асиметричних багатошарових квантово-розмірних
гетероструктурах (АБКРС), які є активними середовищами для напівпровідникових
лазерів і підсилювачів. Основну увагу приділено композиційно асиметричній квантово-розмірній активній області на основі твердого розчину InGaAsP.
Шляхом моделювання реальних гетеросистем й обчислень показано, що область захоплення може бути як менше, так і більше геометричних розмірів квантово-розмірних структур (КРС). З використанням концепції групової
швидкості проведено кількісну оцінку тунелювання в АБКРС. Показано, що в базовій структурі тунелювання від глибоких квантових ям (КЯ) до мілких здійснюється здебільшого через верхні стани №4-6. А тунелювання від мілких КЯ до глибоких відбувається в основному через нижні стани №1-3. Показано, що середні часи тунелювання знаходяться в інтервалі від одиниць пікосекунд до декількох десятків фемтосекунд.