Із застосуванням ітераційної моделі на основі рівнянь Шрьодінгера та Пуассона
досліджено розподіл носіїв та потенціальний профіль асиметричних гетероструктур. Визначено закономірності впливу потенціального профілю
на швидкість процесів захвату та тунелювання, вироблено методологію модифікування активної області та області обмеження для інтенсифікації
процесів квантового переносу. Із застосуванням інтерполяційних моделей першого-другого порядку та напіваналітичних моделей обчислено параметри багатокомпонентних напівпровідникових розчинів, знайдено пари матеріалів,
що не мають розриву країв зон, досліджено особливості процесів переносу
носіїв в таких структурах, запропоновано і розглянуто їхнє використання в якості струмопровідних дзеркал, що забезпечують водночас низькі електричні та оптичні втрати, та інжекторів квантовосаскадних лазерів, що забезпечують швидкий перенос електронів, знижені втрати та підвищену стійкість до шумів у напрузі джерела накачування. Нa основі моделі швидкісних рівнянь досліджено динаміні процеси лазерів з багатошаровою квантоворозмірною активною областю, розроблено метод швидкого розрахунку модуляційних характеристик.
Розроблені моделі увійшли до складу пакету моделювання напівпровідникових лазерів LaserCAD III.