Дисертація спрямована на дослідження фізичних механізмів чутливості
приймачів терагерцового випромінювання на основі напівпровідникових польових транзисторів та їх застосування в системах детектування працюючих в реальному масштабі часу при кімнатних температурах. Вперше встановлені межі лінійності відгуку польових транзисторів як приймачів ТГц/суб-ТГц випромінювання та визначено області переходу від лінійних залежностей до насичення вихідних
сигналів приймачів на основі кремнієвих транзисторів комплементарної структури метал-оксидний-напівпровідникових та транзисторів з високою рухливістю
електронів. Розроблена модель, що аналітично дозволяє описувати експериментальні дані, як в області лінійного відгуку від потужності падаючого
випромінювання, так і в області насичення відгуку. Вперше доведено, що насичення сигналу приймача обумовлено насиченням струму в каналах
польових транзисторів.