Шифр: 537 М31
Маслянчук О. Л. Механізми переносу заряду і фотоелектричного перетворення в детекторах іонізуючого випромінювання на основі напівізолюючого телуриду кадмію та його твердих розчинів : автореф. дис. ... д-ра фіз.-мат. наук : 01.04.10 "Фізика напівпровідників і діелектриків" / Маслянчук Олена Леонідівна ; М-во освіти і науки України, Чернівец. нац. ун-т ім. Ю. Федьковича. – Чернівці, 2014. – 40 с.
Маслянчук О. Л. Механізми переносу заряду і фотоелектричного перетворення в детекторах іонізуючого випромінювання на основі напівізолюючого телуриду кадмію та його твердих розчинів : автореф. дис. ... д-ра фіз.-мат. наук : 01.04.10 "Фізика напівпровідників і діелектриків" / Маслянчук Олена Леонідівна ; М-во освіти і науки України, Чернівец. нац. ун-т ім. Ю. Федьковича. – Чернівці, 2014. – 40 с.
Статистика використання: Видач: 0
Анотація:
Вперше аналітично обгрунтовано властивості кристалів CdTe і Cd_1-x Zn _xTe, легованих елементами III або VII групи періодичної системи (СІ, In), через утворення самокомпенсованих комплексів. Запропоновано й обґрунтовано теоретичну модель, яка дозволяє розрахувати спектральний розподіл ефективності детектування Х/у-променів в кристалах CdTe і Cd 0,9 Zn 0,1Te. Встановлено кореляцію концентрації нескомпенсованих домішок у кристалах з ефективністю збирання фотогенерованого заряду в детекторах з діодами Шотткі. Вперше показано, що тонкі шари (плівки) CdTe з діодом Шотткі загалом не поступаються технологічно складнішим детекторам на напівізолюючому CdTe
і можуть слугувати альтернативою існуючим детекторам Х-променевого зображення на основі селену (a-Se). Запропоновано нову методику визначення енергії іонізації домішки і ступеня компенсації та три незалежні методики визначення концентрації нескомпенсованих домішок (дефектів) — одного з ключових параметрів матеріалу.
і можуть слугувати альтернативою існуючим детекторам Х-променевого зображення на основі селену (a-Se). Запропоновано нову методику визначення енергії іонізації домішки і ступеня компенсації та три незалежні методики визначення концентрації нескомпенсованих домішок (дефектів) — одного з ключових параметрів матеріалу.