Шифр: 621.315 Н64
Ніконов А. Ю. Технологія одержання кремнієвих приладових структур підвищеної якості з використанням високоенергетичних джерел випромінювання і відновлюваних термообробок : автореф. дис. ... канд. техн. наук : 05.27.06 "Технологія, обладнання та виробництво електронної техніки" / Ніконов Андрій Юрійович ; М-во освіти і науки України, Кременчуц. нац. ун-т ім. М. Остроградського. – Кременчук, 2014. – 20 с.
Ніконов А. Ю. Технологія одержання кремнієвих приладових структур підвищеної якості з використанням високоенергетичних джерел випромінювання і відновлюваних термообробок : автореф. дис. ... канд. техн. наук : 05.27.06 "Технологія, обладнання та виробництво електронної техніки" / Ніконов Андрій Юрійович ; М-во освіти і науки України, Кременчуц. нац. ун-т ім. М. Остроградського. – Кременчук, 2014. – 20 с.
Статистика використання: Видач: 0
Анотація:
Здійснено аналіз можливостей отримання високолегованих приконтактних шарів з використанням високоенергетичних джерел випромінювання та термообробки
для далекого ІЧ-діапазону з малою концентрацією домішок. Розроблено комп'ютерну модель процесів захоплення домішки фосфору в процесі високоенергетичної імплантації кремнію на межі розділу, модель просторового розподілу вільних носіїв, що генеруються в напівпровіднику випромінюванням,
які дозволили запропонувати рекомендації щодо проведення процесів легування домішками та оптимізації технологічних параметрів. Знайдено технологію виготовлення приладових кремнієвих структур методом іонної імплантації з двоступеневим електронним відпалом, яка дозволяє отримати максимальні концентрації домішок, що значно (2,5 рази) перевищує межу рівніважної розчинності. Проведено експериментальну перевірку, яка їх підтвердила.
для далекого ІЧ-діапазону з малою концентрацією домішок. Розроблено комп'ютерну модель процесів захоплення домішки фосфору в процесі високоенергетичної імплантації кремнію на межі розділу, модель просторового розподілу вільних носіїв, що генеруються в напівпровіднику випромінюванням,
які дозволили запропонувати рекомендації щодо проведення процесів легування домішками та оптимізації технологічних параметрів. Знайдено технологію виготовлення приладових кремнієвих структур методом іонної імплантації з двоступеневим електронним відпалом, яка дозволяє отримати максимальні концентрації домішок, що значно (2,5 рази) перевищує межу рівніважної розчинності. Проведено експериментальну перевірку, яка їх підтвердила.