В дисертаційній роботі розроблено нові гетероструктури на основі тонких
плівок ТіО2 з домішками 3d-елементів для електронної техніки із заданими та відтворюваними електричними і оптичними властивостями, а також визначено домінуючі механізми струмопереносу, бар'єрні параметри та фотоелектричні властивості поверхнево-бар'єрних гетеростуктур. Дослідження впливу легування тонких плівок ТіО2 показали можливість контрольованої зміни їх фізичних властивостей, в тому числі ширини забороненої зони, що є необхідним при виготовлені оптоелектронних приладів для ефективної роботи в різних спектральних діапазонах. Магнітні домішки створюють можливість використання досліджуваних тонких плівок у приладах спінтроніки. На основі тонких плівок легованого та нелегованого діоксиду титану виготовлено ряд нових та недосліджених раніше напівпровідникових гетеропереходів. Аналіз фізичних властивостей виготовлених гетеропереходів свідчить про можливість їх використання для виготовлення напівпровідникових приладів електроніки, оптоелектроніки і спінтроніки.