Вид документа:

Кваліфікаційна робота здобувача вищої освіти рівня магістр
МЕПП
Хаблов С. А. Тандемний трьохперехідний фотоперетворювач на основі GaAs : дипломна робота, пояснювальна записка / С. А. Хаблов ; кер. роботи п.н.с. Письменецький В.О. ; ХНУРЕ, Кафедра Мікроелектроніки, електронних приладів та пристроїв. – Харків, 2014. – 91 с. : CD


Статистика використання: Видач: 0

Анотація:
Объект исследования - тандемный трехпереходной фотопреобразователь на основе GaAs.
Целью данной дипломной работы является оптимизация фотопреобразователя на основе GaAs с целью улучшения его параметров.
Методы исследования - численный эксперимент.
Исследован диффузионно-туннельный механизм токопереноса в однопереходной германиевой фотоячейке, как базовом элементе тандемного фотопреобразователя GaInP/GaInAs/Ge с учетом основных макропараметров. Выполнено экспериментальное исследование характеристик указанного солнечного елемента в зависимости от температуры. Также описаны основные этапы построения и оптимизации трехпереходных солнечных элементов.
В работе освещены технологические особенности изготовления трехпереходных солнечных элементов и спроектирован технологический маршрут изготовления гетероструктуры GaInР/GaInAs/Ge. Описана методика контроля и измерение выходных параметров гетерофотопреобразователей.
Рассмотрено перечень вредных и опасных факторов в помещении лаборатории компьютерного моделирования солнечных элементов. Рассмотрены вопросы производственной санитарии, гигиены труда. Проанализированы возможные причины возникновения пожара. Проведено экономическое обоснование целесообразности проведения научно-исследовательской работы.

ФОТОПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ, GaAs, ТОКОПЕРЕНОС, ТАНДЕМНЫЙ СОЛНЕЧНЫЙ ЭЛЕМЕНТ, ГАЗОФАЗНАЯ ЭПИТАКСИЯ, ОПТИМИЗАЦИЯ



Об'єкт дослідження - тандемний трьохперехідний фотоперетворювач на основі GaAs.
Метою даної дипломної роботи є оптимізація фотоперетворювача на основі GaAs з метою поліпшення його параметрів.
Методи дослідження - чисельний експеримент.
Досліджено дифузійно-тунельний механізм токопереносу в одноперехідний германієвій фотокомірці, як базовому елементі тандемного фотоперетворювача GaInP/GaInAs/Ge з урахуванням основних макропараметрів. Виконано експериментальне дослідження характеристик зазначеного сонячного елементу залежно від температури. Також описані основні етапи побудови та оптимізації трьохперехідних сонячних елементів.
У роботі освітлено технологічні особливості виготовлення трьохперехідних сонячних елементів і спроектований технологічний маршрут виготовлення гетероструктури GaInР/GaInAs/Ge. Описана методика контролю і вимірювання вихідних параметрів гетерофотоперетворювачів.
Розглянуто перелік шкідливих і небезпечних факторів в приміщенні лабораторії комп'ютерного моделювання сонячних елементів. Розглянуто питання виробничої санітарії, гігієни праці. Проаналізовано можливі причини виникнення пожежі. Проведено економічне обгрунтування доцільності проведення науково-дослідної роботи.

ФОТОПЕРЕТВОРЮВАЧ, GaAs, СТРУМОПЕРЕНОС, ТАНДЕМНИЙ СОНЯЧНИЙ ЕЛЕМЕНТ, ГАЗОФАЗНА ЕПІТАКСІЯ, ОПТИМІЗАЦІЯ