МЕПП
Ібадулін М. М. Вплив структурних та електрофізичних параметрів активної області резонансно-тунельного діоду на його ВАХ : магістерська атестаційна робота, пояснювальна записка / М. М. Ібадулін ; кер. роботи доц. Пащенко О.Г ; ХНУРЕ, Кафедра Мікроелектроніки, електронних приладів та пристроїв. – Харків, 2014. – 78 с. : CD
Ібадулін М. М. Вплив структурних та електрофізичних параметрів активної області резонансно-тунельного діоду на його ВАХ : магістерська атестаційна робота, пояснювальна записка / М. М. Ібадулін ; кер. роботи доц. Пащенко О.Г ; ХНУРЕ, Кафедра Мікроелектроніки, електронних приладів та пристроїв. – Харків, 2014. – 78 с. : CD
Статистика використання: Видач: 0
Анотація:
Об'єктом дослідження є двошарова квантово - розмірна структура, створена на основі напівпровідникових сполук , залежно від ширини квантово - обмеженого шару.
Метою роботи є дослідження впливу структурних та електрофізичних параметрів активної області на ВАХ резонансно - тунельного діоду.
У роботі проведено огляд існуючих квантово - механічних підходів моделювання резонансно - тунельних діодів, здійснено математичне проектування двошарової квантово - розмірної структури.
ЕЛЕКТРОН, ДІРКА, КВАНТОВО - РОЗМІРНА СТРУКТУРА, КВАНТОВЕ ОБМЕЖЕННЯ, ДОВЖИНА ХВИЛІ ДЕ - БРОЙЛЯ
Объектом исследования является двухслойная квантово - размерная структура, созданная на основе полупроводниковых соединений группы .
Целью работы является исследование влияния структурных и электрофизических параметров активной области на ВАХ резонансно - туннельного диода
В работе проведен обзор существующих квантово - механических подходов моделирования резонансно - туннельных диодов, осуществлено математическое проектирование двухслойной квантово - размерной структуры.
ЕЛЕКТРОН, ДЫРКА, КВАНТОВО - РАЗМЕРНАЯ СТРУКТУРА, КВАНТОВОЕ ОГРАНИЧЕНИЕ, ДЛИНА ВОЛНЫ ДЕ - БРОЙЛЯ
Метою роботи є дослідження впливу структурних та електрофізичних параметрів активної області на ВАХ резонансно - тунельного діоду.
У роботі проведено огляд існуючих квантово - механічних підходів моделювання резонансно - тунельних діодів, здійснено математичне проектування двошарової квантово - розмірної структури.
ЕЛЕКТРОН, ДІРКА, КВАНТОВО - РОЗМІРНА СТРУКТУРА, КВАНТОВЕ ОБМЕЖЕННЯ, ДОВЖИНА ХВИЛІ ДЕ - БРОЙЛЯ
Объектом исследования является двухслойная квантово - размерная структура, созданная на основе полупроводниковых соединений группы .
Целью работы является исследование влияния структурных и электрофизических параметров активной области на ВАХ резонансно - туннельного диода
В работе проведен обзор существующих квантово - механических подходов моделирования резонансно - туннельных диодов, осуществлено математическое проектирование двухслойной квантово - размерной структуры.
ЕЛЕКТРОН, ДЫРКА, КВАНТОВО - РАЗМЕРНАЯ СТРУКТУРА, КВАНТОВОЕ ОГРАНИЧЕНИЕ, ДЛИНА ВОЛНЫ ДЕ - БРОЙЛЯ