На основі методу акустичної емісії (АЕ) розроблено спосіб покрокового підвищення струмового навантаження GaP світловипромінювальної структури, який викликає мінімальні перетворення в системі протяжних дефектів-
за рахунок активації внутрішніх термомеханічних напруг індукованих струмом певними порціями та викликаного внутрішніми деформаціями переносу точкових
дефектів. Запропоновано модель джерел АЕ нанорозмірної напівпровідникової
світловипромінюючої структури при протіканні прямого струму. Виявлено
спосіб визначення місцезнаходження активних джерел акустичної емісії InGaN/GaN/Al _2O_3 світловипромінюючих структур за сплеском чи затуханням електролюмінесценції. Розроблено метод неактивного тестування світлодіодів та макет приладу, який реалізує даний спосіб перевірки в пристроях підвищеної відповідальності. Основною перевагою методу є відсутність свічення елементів навантаження при їх перевірці, що реалізується тестуванням двох значень вольт-амперної характеристики, для яких є недостатньою енергія для збудження міжзонних переходів.