Шифр: 621.382 Л81
Лоцько О. П. Трансформація домішково-дефектних комплексів у монокристалах CdTe: CI під дією технологічних обробок : автореф. дис. ... канд. техн. наук : 05.27.06 "Техноогія, обладнання та виробництво електронної техніки" / Лоцько Олександр Павлович ; МОН України, Кременчуц. нац. ун-т ім. М. Остроградського. – Кременчук, 2013. – 18 с.
Лоцько О. П. Трансформація домішково-дефектних комплексів у монокристалах CdTe: CI під дією технологічних обробок : автореф. дис. ... канд. техн. наук : 05.27.06 "Техноогія, обладнання та виробництво електронної техніки" / Лоцько Олександр Павлович ; МОН України, Кременчуц. нац. ун-т ім. М. Остроградського. – Кременчук, 2013. – 18 с.
Статистика використання: Видач: 0
Анотація:
В дисертації розроблено технологію вирощування монокристалів CdTe і
CdZnTe та оптимізовано технологічні процеси виготовлення детекторів X- і y-випромінювань. Методом низькотемпературної фотолюмінесценції досліджено процеси трансформації домішково-дефектних комплексів у легованих хлором
високоомних монокристалах телуриду кадмію під дією різних технологічних обробок: НВЧ-опромінення, термічного відпалу, гамма-опромінення.
Отримані в дисертації результати з впливу зовнішніх чинників на характеристики
центрів люмінесценції в монокристалах CdTe:CI можуть бути використані
для виготовлення матеріалів з наперед заданими параметрами. Результати дисертації використані в Чернівецькому національному університеті ім. Ю. Федьковича на кафедрі фізики напівпровідників і наноструктур у навчальному процесі при вивченні курсу "Фізичні основи сенсорики" , удосконалені технології вирощування високоякісних монокристалів CdTe:CI; та в Інституті фізики напівпровідників ім. В. Є. Лашкарьова НАН України при виконанні теми "Фізичні та фізико-технологічні аспекти створення сучасних напівпровідникових матеріалів
і функціональних структур для нано- і оптоелектроніки".
CdZnTe та оптимізовано технологічні процеси виготовлення детекторів X- і y-випромінювань. Методом низькотемпературної фотолюмінесценції досліджено процеси трансформації домішково-дефектних комплексів у легованих хлором
високоомних монокристалах телуриду кадмію під дією різних технологічних обробок: НВЧ-опромінення, термічного відпалу, гамма-опромінення.
Отримані в дисертації результати з впливу зовнішніх чинників на характеристики
центрів люмінесценції в монокристалах CdTe:CI можуть бути використані
для виготовлення матеріалів з наперед заданими параметрами. Результати дисертації використані в Чернівецькому національному університеті ім. Ю. Федьковича на кафедрі фізики напівпровідників і наноструктур у навчальному процесі при вивченні курсу "Фізичні основи сенсорики" , удосконалені технології вирощування високоякісних монокристалів CdTe:CI; та в Інституті фізики напівпровідників ім. В. Є. Лашкарьова НАН України при виконанні теми "Фізичні та фізико-технологічні аспекти створення сучасних напівпровідникових матеріалів
і функціональних структур для нано- і оптоелектроніки".