Г83
Григор'єв Є. В. Вплив імпульсних електромагнітних полів на елементи інтегральних микросхем : автореф. дис. ... канд. техн. наук : 05.27.01 "Твердотільна електроніка" / Григор'єв Евген Володимирович ; Харків. нац. ун-т радіоелектроніки. – Харків, 2004. – 16 с.
Григор'єв Є. В. Вплив імпульсних електромагнітних полів на елементи інтегральних микросхем : автореф. дис. ... канд. техн. наук : 05.27.01 "Твердотільна електроніка" / Григор'єв Евген Володимирович ; Харків. нац. ун-т радіоелектроніки. – Харків, 2004. – 16 с.
Статистика використання: Видач: 0
Анотація:
Григор'єв Є.В. Вплив імпульсних електромагнітних полів на елементи інтегральних микросхем.-Рукопис.
Дисертація на здобуття наукового ступеня кандидата технічних наук за специальністю 05.27.01 - твердотильна електроніка. ХНУРЕ, Х., 2004.
Дисертаційна робота присвячена з'ясуванню причин та характеру розвитку фіхичних процесів у мікроструктурних елементах микросхем під впливом імпульсних електромагнітних полів. Проведений цикл експериментальних досліджень дозволив визначити найменш стійкий елемент мікросхем - провідні доріжки та контактні площадки. Встановлено вплив поляризаційного фактора на граничні значення напруженності ТЕМП,при яких у мікросхемах починаються деградаційні процеси та значення полів,що призводять до катастрофічних відмов.
У дисертації новим є результати експериментальних досліджень і теоретичне моделювання впливу імпульсних електромагнітних полів на мікроструктурні елементи мікросхем. Практичне застосування одержаних результатів дозволить підвищити надійність роботи ІМС при впливі ТЕМП.
Дисертація на здобуття наукового ступеня кандидата технічних наук за специальністю 05.27.01 - твердотильна електроніка. ХНУРЕ, Х., 2004.
Дисертаційна робота присвячена з'ясуванню причин та характеру розвитку фіхичних процесів у мікроструктурних елементах микросхем під впливом імпульсних електромагнітних полів. Проведений цикл експериментальних досліджень дозволив визначити найменш стійкий елемент мікросхем - провідні доріжки та контактні площадки. Встановлено вплив поляризаційного фактора на граничні значення напруженності ТЕМП,при яких у мікросхемах починаються деградаційні процеси та значення полів,що призводять до катастрофічних відмов.
У дисертації новим є результати експериментальних досліджень і теоретичне моделювання впливу імпульсних електромагнітних полів на мікроструктурні елементи мікросхем. Практичне застосування одержаних результатів дозволить підвищити надійність роботи ІМС при впливі ТЕМП.