Шифр: 621.382 К78
Красников Г. Я. Конструктивно-технологические особенности субмикронных МОП-транзисторов / Г. Я. Красников. – 2-е изд., испр. – Москва : Техносфера, 2011. – 800 с. : ил. – (Мир электроники). – ISBN 978-5-94836-289-2. – 414,00
Красников Г. Я. Конструктивно-технологические особенности субмикронных МОП-транзисторов / Г. Я. Красников. – 2-е изд., испр. – Москва : Техносфера, 2011. – 800 с. : ил. – (Мир электроники). – ISBN 978-5-94836-289-2. – 414,00
Статистика використання: Видач: 0
Де отримати
| Місце видачі: | Кількість: | В наявності: |
| Абонемент загальний к. 358 | 1 | 1 |
Тема:
- УДК
- 621.382.3 Транзистори Ключові слова
- надвеликі інтегральні схеми, НВІС, сверхбольшие интегральные схемы, СБИС
- МОН-транзистори, МОП- транзисторы, MOS- transistors
- комплементарна логіка на транзисторах метал-окид-напівпровідник, КМОН, комплементарная логика на транзисторах металл-оксид-полупроводник,КМОП, CMOS-technology
- субмікронні гетероструктурні транзистори, субмикронные гетероструктурные транзисторы
- іонна імплантація, ионная имплантация