МЕЕПП
Мочалкіна А. Є. Фотоперетворювач на основі гетеропереходу a-Si:H/c-Si. : дипломна робота, пояснювальна записка / А. Є. Мочалкіна ; кер. роботи доц. Галат О.Б. ; ХНУРЕ, Кафедра Мікроелектроніки, електронних приладів та пристроїв. – Харьков, 2013. – 76 с. : CD
Мочалкіна А. Є. Фотоперетворювач на основі гетеропереходу a-Si:H/c-Si. : дипломна робота, пояснювальна записка / А. Є. Мочалкіна ; кер. роботи доц. Галат О.Б. ; ХНУРЕ, Кафедра Мікроелектроніки, електронних приладів та пристроїв. – Харьков, 2013. – 76 с. : CD
Статистика використання: Видач: 0
Анотація:
Мета роботи – розробка математичної моделі залежності поглинаючої здатності напівпровідників від товщини поглинаючого шару: кристалічного кремнію (c-Si) та аморфного кремнію(a-Si), а також математичної моделі струмопереносу цієї структури.
Метод досліджень – пошук в інтернеті використання наукових журналів, виконання розрахунків з допомогою програми MathCAD 14.
У розділі "Охоро напраці" проведено аналіз системи "людина-машина-середовище", виявлено небезпечні та шкідливі фактори і методи їх локалізації відповідно до стандартів.
У четвертому розділі наведено економічне обгрунтування дипломної роботи.
МОДУЛЬ, ФОТОЕЛЕМЕНТИ, МОНОКРИСТАЛІЧНИЙ КРЕМНІЙ, ГЕТЕРОПЕРЕХОД, АМОРФНИЙ КРЕМНІЙ, ПОГЛИНАЮЧА ЗДАТНІСТЬ, СПЕКТР ВИПРОМІНЮВАННЯ.
Объект исследования –фотопреобразователь на основе гетероперехода a-Si:H/:c-Si.
Цель работы –разработка математической модели зависимости поглощающей способности полупроводников от толщины поглощающего слоя: кристаллического кремния (c-Si) и аморфного кремния (a-Si), а также математической модели токопереноса этой структуры.
Методи исследований –поиск в интернете использования научных журналов, выполнения расчетов с помощью программы MathCAD 14.
В разделе "Охрана труда" проведен анализ системы "человек-машина-среда", обнаружены опасные и вредные факторы и методы их локализации в соответствии со стандартами.
В четвертом разделе приведено экономическое обоснование дипломной работы
.
МОДУЛЬ, ФОТОЭЛЕМЕНТ, МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИЙ КРЕМНИЙ, ГЕТЕРОПЕРЕХОД, АМОРФНЫЙ КРЕМНИЙ, ПОГЛОЩАЮЩАЯ СПОСОБНОСТЬ, СПЕКТР ИЗЛУЧЕНИЯ.
Метод досліджень – пошук в інтернеті використання наукових журналів, виконання розрахунків з допомогою програми MathCAD 14.
У розділі "Охоро напраці" проведено аналіз системи "людина-машина-середовище", виявлено небезпечні та шкідливі фактори і методи їх локалізації відповідно до стандартів.
У четвертому розділі наведено економічне обгрунтування дипломної роботи.
МОДУЛЬ, ФОТОЕЛЕМЕНТИ, МОНОКРИСТАЛІЧНИЙ КРЕМНІЙ, ГЕТЕРОПЕРЕХОД, АМОРФНИЙ КРЕМНІЙ, ПОГЛИНАЮЧА ЗДАТНІСТЬ, СПЕКТР ВИПРОМІНЮВАННЯ.
Объект исследования –фотопреобразователь на основе гетероперехода a-Si:H/:c-Si.
Цель работы –разработка математической модели зависимости поглощающей способности полупроводников от толщины поглощающего слоя: кристаллического кремния (c-Si) и аморфного кремния (a-Si), а также математической модели токопереноса этой структуры.
Методи исследований –поиск в интернете использования научных журналов, выполнения расчетов с помощью программы MathCAD 14.
В разделе "Охрана труда" проведен анализ системы "человек-машина-среда", обнаружены опасные и вредные факторы и методы их локализации в соответствии со стандартами.
В четвертом разделе приведено экономическое обоснование дипломной работы
.
МОДУЛЬ, ФОТОЭЛЕМЕНТ, МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИЙ КРЕМНИЙ, ГЕТЕРОПЕРЕХОД, АМОРФНЫЙ КРЕМНИЙ, ПОГЛОЩАЮЩАЯ СПОСОБНОСТЬ, СПЕКТР ИЗЛУЧЕНИЯ.